C2600-O C2680-EH铜合金冲压铜带，铜棒

CS626N、S-CuZn-4B、CS627N、S-CuZn-5A

CS628N、S-CuZn-5B、CS629N、S-CuZn-6

CS630N、S-CuZn-7、CW107C、CuFe2P

CW460K、CuSn8PbP、CW700R、CuZn13Al1Ni1Si1

CW100C、CuBe1.7、CW405J、CuNi12Zn29

CW703R、CuZn23Al3Co、CW117C、CuSn0.15

CM344G、CuAl50(A)、CM345G、CuAl50(B)

CM200E、CuAs30、CM121C、CuB2

己达十万甚至百万以上。国际著名的计算机公司IBM（国际商业机器公司），己采用铜代替硅芯片中的铝作互连线，取得了突破性进展。这种用铜的新型微芯片，可以获得30%的效能增益，电路的线尺寸可以减小到0.12微米，可使在单个芯片上集成的晶体管数目达到200万个。这就为古老的金属铜，在半导体集成电路这个zui新技术领域中的应用，开创了新局面 [1]  。引线框架

为了保护集成电路或混合电路的正常工作，需要对它进行封装；并在封装时，把电路中大量的接头从密封体内引出来。这些引线要求有一定的强度，构成该集成封装电路的支承骨架，称为引线框架。实际生产中，为了高速大批量生产，引线框架通常在一条金属带上按特定的排列方式连续冲压而成。框架材料占集成电路总成本的1/3～ l/4，而且用量很大；因此，必须要有低的成本。

铜合金价格低廉，有高的强度、导电性和导热性，加工性能、针焊性和耐蚀性优良，通过合金化能在很大范围内控制其性能，能够较好地满足引线框架的性能要求，己成为引线框架的一个重要材料。它是目前铜在微电子器件中用量zui多的一种材料。

CM122C、CuBe4、CM237E、CuCo10

CM201E、CuCo15、CM202E、CuCr10

CM203E、CuFe10(A)、CM204E、CuFe10(B)

CM213E、CuFe15、CM205E、CuFe20(A)

CM206E、CuFe20(B)、CM123C、CuLi2